BC847CDW1T1G, Биполярный транзистор, General Purpose, Двойной NPN, 45 В, 100 МГц, 380 мВт, 100 мА, 270 hFE
21 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The BC847CDW1T1G is a dual NPN general purpose Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
• AECQ101 qualified and PPAP capable
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 45В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Рассеиваемая Мощность | 380мВт |
| Полярность Транзистора | Двойной NPN |
| DC Ток Коллектора | 100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 270hFE |
| Частота Перехода ft | 100мгц |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,9 В |
| Длина | 2.2мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 50 В |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 45 В |
| Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
| Максимальное рассеяние мощности | 380 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -50 C |
| Ширина | 1.35мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1.1мм |
| Число контактов | 6 |
| Размеры | 2.2 x 1.35 x 1.1мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 24E |
| Вес, г | 1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...