BC847ALT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 45 В, 100 МГц, 300 мВт, 100 мА, 100 hFE
12 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The BC847ALT1G is a 45V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications, ESD protection, polarity reversal protection, data line protection, inductive load protection and steering logic.
• Halogen-free/BFR-free
• ESD rating - >,4000V human body model, >,400V machine model
• 50V Collector to base voltage (VCBO)
• 6V Emitter to base voltage (VEBO)
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 45В |
Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
Рассеиваемая Мощность | 300мВт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 100мА |
DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
Частота Перехода ft | 100мгц |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.6 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Number of Elements per Chip | 1 |
Length | 3.04mm |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V dc |
Transistor Configuration | Single |
Brand | ON Semiconductor |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Package Type | SOT-23 |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Width | 2.64mm |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Transistor Type | NPN |
Height | 1.11mm |
Pin Count | 3 |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Dimensions | 3.04 x 2.64 x 1.11mm |
Minimum DC Current Gain | 110 |
Вес, г | 80 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...