BC846BLT3G, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 200 hFE

2 руб.

Полное описание

Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	65В
Стиль Корпуса Транзистора	sot-23
Рассеиваемая Мощность	225мВт
Полярность Транзистора	npn
DC Ток Коллектора	100мА
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Частота Перехода ft	100мгц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	0.6 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Number of Elements per Chip	1
Length	2.9mm
Transistor Configuration	Single
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Brand	ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage	65 V
Package Type	SOT-23
Maximum Power Dissipation	300 mW
Mounting Type	Surface Mount
Minimum Operating Temperature	-55 C
Width	1.3mm
Maximum DC Collector Current	100 mA
Transistor Type	NPN
Height	1mm
Pin Count	3
Dimensions	2.9 x 1.3 x 1.0mm
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Minimum DC Current Gain	200
Вес, г	0.002

Загрузка комментариев...