BC847BDW1T3G, Биполярный транзистор, Двойной NPN, 45 В, 100 МГц, 380 мВт, 100 мА, 200 hFE
21 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Small Signal NPN Transistors, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 45В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Рассеиваемая Мощность | 380мВт |
| Полярность Транзистора | Двойной NPN |
| DC Ток Коллектора | 100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Частота Перехода ft | 100мгц |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Length | 2mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Package Type | SOT-363 (SC-88) |
| Maximum Power Dissipation | 380 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Width | 1.25mm |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Transistor Type | NPN |
| Height | 0.95mm |
| Pin Count | 6 |
| Dimensions | 2.0 x 1.25 x 0.95mm |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Minimum DC Current Gain | 420 |
| Вес, г | 0.016 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...