BC846BLT3G, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 200 hFE
13 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Small Signal NPN Transistors, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 65В |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Рассеиваемая Мощность | 225мВт |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Частота Перехода ft | 100мгц |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 2.9mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Width | 1.3mm |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Transistor Type | NPN |
| Height | 1mm |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 2.9 x 1.3 x 1.0mm |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Вес, г | 0.002 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...