BC808-25LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -25 В, 100 МГц, 225 мВт, -500 мА, 40 hFE
16 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Рассеиваемая Мощность | 225мВт |
| Полярность Транзистора | pnp |
| DC Ток Коллектора | -500мА |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Частота Перехода ft | 100мгц |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,7 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | -1.2 V |
| Длина | 3.04мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 30 В |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 25 В |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 225 мВт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 2.64мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 500 мА |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 1.11мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 3.04 x 2.64 x 1.11мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 160 |
| Вес, г | 0.002 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...