BC807-16LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 225 мВт, -500 мА, 100 hFE
15 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The BC807-16LT1G is a PNP general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | -45В |
Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
Рассеиваемая Мощность | 225мВт |
Полярность Транзистора | pnp |
DC Ток Коллектора | -500мА |
DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
Частота Перехода ft | 100мгц |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 2.9мм |
Максимальное напряжение коллектор-база | 50 V |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | ON Semiconductor |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 45 В |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Ширина | 1.3мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 500 мА |
Тип транзистора | PNP |
Высота | 0.94мм |
Число контактов | 3 |
Размеры | 0.94 x 2.9 x 1.3мм |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
Вес, г | 0.033 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...