BC807-16LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 225 мВт, -500 мА, 100 hFE

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
BC807-16LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 225 мВт, -500 мА, 100 hFE

BC807-16LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 225 мВт, -500 мА, 100 hFE

картинка BC807-16LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 225 мВт, -500 мА, 100 hFE
15 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The BC807-16LT1G is a PNP general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер-45В
Стиль Корпуса Транзистораsot-23
Рассеиваемая Мощность225мВт
Полярность Транзистораpnp
DC Ток Коллектора-500мА
DC Усиление Тока hFE100hFE
Частота Перехода ft100мгц
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.7 V
Максимальная рабочая температура+150 C
Максимальная рабочая частота100 МГц
Количество элементов на ИС1
Длина2.9мм
Максимальное напряжение коллектор-база50 V
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)45 В
Тип корпусаSOT-23
Максимальное рассеяние мощности300 мВт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-55 C
Ширина1.3мм
Максимальный пост. ток коллектора500 мА
Тип транзистораPNP
Высота0.94мм
Число контактов3
Размеры0.94 x 2.9 x 1.3мм
Максимальное напряжение эмиттер-база5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току100
Вес, г0.033
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...