BC638TA, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 100 МГц, 1 Вт, 1 А, 40 hFE

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
BC638TA, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 100 МГц, 1 Вт, 1 А, 40 hFE

BC638TA, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 100 МГц, 1 Вт, 1 А, 40 hFE

картинка BC638TA, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 100 МГц, 1 Вт, 1 А, 40 hFE
29 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание
Small Signal PNP Transistors, 60 to 160V, Fairchild Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер60В
Стиль Корпуса Транзистораto-92
Рассеиваемая Мощность1Вт
Полярность Транзистораpnp
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE40hFE
Частота Перехода ft100мгц
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.5 V
Максимальная рабочая температура+150 C
Максимальная рабочая частота50 MHz
Количество элементов на ИС1
Длина4.58мм
Максимальное напряжение коллектор-база30 В
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)60 В
Тип корпусаTO-92
Максимальное рассеяние мощности1 Вт
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Ширина3.86мм
Максимальный пост. ток коллектора1 A
Тип транзистораPNP
Высота4.58мм
Число контактов3
Размеры4.58 x 3.86 x 4.58мм
Максимальное напряжение эмиттер-база-5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току40
Вес, г0.4
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...