50A02MH-TL-E, Биполярный транзистор, PNP, -50 В, 690 МГц, 600 мВт, -500 мА, 200 hFE
39 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -50В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Рассеиваемая Мощность | 600мВт |
| Полярность Транзистора | pnp |
| DC Ток Коллектора | -500мА |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Частота Перехода ft | 690МГц |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -120 mV |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 690 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | -1.2 V |
| Длина | 2мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | -50 V |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 V |
| Тип корпуса | MCPH |
| Максимальное рассеяние мощности | 600 мВт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ширина | 2.1мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 500 мА |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 0.85 |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Размеры | 2 x 2.1 x 0.85мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
| Вес, г | 0.3 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...