PMGD290XN,115, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 200 мА, 20 В, 0.29 Ом, 4.5 В, 1 В

30 руб.

Производитель: Nexperia

Полное описание

The PMGD290XN, 115 is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for driver circuits and switching in portable appliances applications. The device offers 40% smaller footprint.

• Fast switching speed
• Low ON-state resistance
• Low threshold voltage

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-363
Рассеиваемая Мощность	410мВт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Непрерывный Ток Стока	200ма
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.29Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Пороговое Напряжение Vgs	1В
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальный непрерывный ток стока	860 мА
Тип корпуса	SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности	410 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	1.35мм
Высота	1мм
Размеры	2.2 x 1.35 x 1мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	2
Длина	2.2мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	5 нс
Производитель	Nexperia
Типичное время задержки выключения	11 ns
Минимальная рабочая температура	-55 C
Maximum Gate Threshold Voltage	1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	0.5V
Максимальное сопротивление сток-исток	350 м?
Максимальное напряжение сток-исток	20 V
Число контактов	6
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	0,72 нКл при 4,5 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	34 пФ при 20 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-12 V, +12 V
Вес, г	0.006

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...