SI4532CDY-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6 А, 30 В, 0.038 Ом, 10 В, 1 В

74 руб.

Производитель: Vishay

Полное описание

The SI4532CDY-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
• 100% Rg Tested
• 100% UIS Tested

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2.78Вт
Полярность Транзистора	N и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.038Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Пороговое Напряжение Vgs	1В
Максимальная рабочая температура	+150 C
Количество элементов на ИС	2
Длина	5мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	16 ns, 40 ns
Производитель	Vishay
Типичное время задержки выключения	14 нс, 20 нс
Максимальный непрерывный ток стока	4,3 А, 6 А
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2,78 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура	-55 C
Ширина	4мм
Высота	1.5мм
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	65 мОм, 140 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	30 V
Число контактов	8
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs	6 нКл при 10 В, 7,8 нКл при 10 В
Материал транзистора	Кремний
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	305 пФ при 15 В, 340 пФ при -15 В
Тип канала	N, P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.5

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...