SI1553CDL-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 700 мА, 20 В, 0.325 Ом, 4.5 В, 1.5 В
35 руб.
- Производитель
- Vishay
Полное описание
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Рассеиваемая Мощность | 340мВт |
| Полярность Транзистора | N и P Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 700мА |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.325Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 2.2мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 15 нс, 16 нс |
| Производитель | Vishay |
| Типичное время задержки выключения | 12 нс, 22 нс |
| Максимальный непрерывный ток стока | 400 mA, 700 mA |
| Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
| Максимальное рассеяние мощности | 340 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.35мм |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Высота | 1мм |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1,48 ?, 578 м? |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 6 |
| Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 1,2 нКл при 10 В, 1,9 нКл при 10 В |
| Материал транзистора | Кремний |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 38 пФ при 10 В, 43 пФ при -10 В |
| Тип канала | N, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -12 В, +12 В |
| Вес, г | 0.33 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...