SI1922EDH-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 1.3 А, 20 В, 0.165 Ом, 4.5 В, 400 мВ
36 руб.
- Производитель
- Vishay
Полное описание
The SI1922EDH-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.
• Halogen-free
• ESD protected device
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.3А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.165Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 400мВ |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 2.2мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 43 нс |
| Производитель | Vishay |
| Типичное время задержки выключения | 645 нс |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1,3 А |
| Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
| Максимальное рассеяние мощности | 1.25 W |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.35мм |
| Высота | 1мм |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 263 м? |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 6 |
| Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 1,6 нКл при 8 В |
| Материал транзистора | Кремний |
| Номер канала | Поднятие |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -8 В, +8 В |
| Вес, г | 0.073 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...