PDTC114TT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм
18 руб.
- Производитель
- Nexperia
Полное описание
The PDTC114TT, 215 is a NPN Resistor Equipped Transistor (RET) housed in surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with control of IC inputs, cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications and switching load applications.
• 100mA Output current capability
• Reduces component count
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50в |
| Корпус РЧ Транзистора | sot-23 |
| Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный NPN |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 1 MHz |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 3мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | -50 V |
| Производитель | Nexperia |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | -50 V |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 250 mW |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -65 C |
| Ширина | 1.4мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 100 (Peak) mA |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 3 x 1.4 x 1.1мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
| Вес, г | 0.006 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...