2SK4177-DL-1E, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 1.5 кВ, 10 Ом, 10 В
370 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263 |
| Рассеиваемая Мощность | 80Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.5кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 10Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 1500 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Maximum IDSS (uA) | 100 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 13000@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 37.5@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 37.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 380@30V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 80000 |
| Typical Fall Time (ns) | 59 |
| Typical Rise Time (ns) | 37 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 152 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Minimum Operating Temperature (C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 4.5 |
| Package Length | 10 |
| Package Width | 9.2 |
| PCB changed | 2 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...