2N7002LT3G, N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23
25 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Рассеиваемая Мощность | 300мВт |
| Полярность Транзистора | N Channel |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 115мА |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 7.5Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 3.04мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 20 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 40 нс |
| Максимальный непрерывный ток стока | 115 mA |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.4мм |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Высота | 1.01мм |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 7.5 ? |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 3.04 x 1.4 x 1.01мм |
| Категория | Малый сигнал |
| Материал транзистора | Кремний |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 50 pF @ 25 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.044 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...