2N7002W, МОП-транзистор, N Канал, 115 мА, 78 В, 2.53 Ом, 10 В, 1.76 В
38 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The 2N7002W is a N-channel enhancement-mode FET with low ON-resistance and low gate threshold voltage.
• Low input capacitance
• Fast switching speed
• Low input/output leakage
• Ultra-small surface-mount package
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 78В |
| Непрерывный Ток Стока | 115мА |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.53Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.76В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 2мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 5,85 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 12,5 нс |
| Максимальный непрерывный ток стока | 115 mA |
| Тип корпуса | SOT-323 (SC-70) |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.25мм |
| Высота | 1мм |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 13,5 ? |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 2 x 1.25 x 1мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 37,8 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.03 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...