BSS138LT3G, МОП-транзистор, N Канал, 200 мА, 50 В, 5.6 Ом, 2.75 В, 500 мВ
24 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The BSS138LT3G is a N-channel Power MOSFET with low threshold voltage and ideal for low voltage applications. Miniature surface mount package saves board space.
• ±20VDC Continuous gate-to-source voltage
• 556°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
Рассеиваемая Мощность | 225мВт |
Полярность Транзистора | N Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 50в |
Непрерывный Ток Стока | 200ма |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 5.6Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 2.75В |
Пороговое Напряжение Vgs | 500мВ |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальный непрерывный ток стока | 200 мА |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 225 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 1.3мм |
Высота | 0.94мм |
Размеры | 2.9 x 1.3 x 0.94мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 2.9мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 20 ns |
Производитель | ON Semiconductor |
Типичное время задержки выключения | 20 ns |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 3.5 ? |
Максимальное напряжение сток-исток | 50 V |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 40 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.006 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...