BSS138W, МОП-транзистор, N Канал, 210 мА, 50 В, 1.17 Ом, 10 В, 1.3 В

30 руб.

Производитель: ON Semiconductor

Полное описание

The BSS138W is a N-channel enhancement-mode FET designed to minimize ON-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-323
Рассеиваемая Мощность	340мВт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	50в
Непрерывный Ток Стока	210мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1.17Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Пороговое Напряжение Vgs	1.3В
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальный непрерывный ток стока	210 мА
Тип корпуса	SOT-323 (SC-70)
Максимальное рассеяние мощности	340 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	1.25мм
Прямая активная межэлектродная проводимость	0.12S
Высота	0.9мм
Размеры	2 x 1.25 x 0.9мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	2мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	5 нс
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	36 нс
Минимальная рабочая температура	-55 C
Minimum Gate Threshold Voltage	0.8V
Максимальное сопротивление сток-исток	6 ?
Максимальное напряжение сток-исток	50 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	1,1 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	38 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода	1.4V
Вес, г	1.021

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...