BC846BDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, универсальный, Двойной NPN, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363
19 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The BC846BDW1T1G is a NPN dual Transistor, designed for general purpose amplifier applications. Ideal for low power surface mount applications.
• AEC-Q101 Qualified
• PPAP capable
• Halogen-free
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 65В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
Рассеиваемая Мощность | 380мВт |
Полярность Транзистора | Двойной NPN |
DC Ток Коллектора | 100мА |
DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
Количество элементов на ИС | 2 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,9 В |
Длина | 2мм |
Transistor Configuration | Изолированный |
Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
Производитель | ON Semiconductor |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 65 V |
Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
Максимальное рассеяние мощности | 380 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Ширина | 1.25мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 0.9мм |
Число контактов | 6 |
Размеры | 0.9 x 2 x 1.25мм |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
Вес, г | 0.006 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...