FMB3946, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 40 В, 700 мВт, 200 мА, 30 hFE, SuperSOT
43 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Dual & Quad Multi-Chip Transistors, Fairchild SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Рассеиваемая Мощность | 700мВт |
| Полярность Транзистора | NPN, PNP |
| DC Ток Коллектора | 200ма |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 200 MHz |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,9 В |
| Длина | 3мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 40 В |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 В |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 700 мВт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.7мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 200 mA |
| Тип транзистора | NPN, PNP |
| Высота | 1мм |
| Число контактов | 6 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Размеры | 3 x 1.7 x 1мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Вес, г | 0.5 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...