FMBM5551, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 160 В, 700 мВт, 600 мА, 80 hFE, SuperSOT
44 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Dual & Quad Multi-Chip Transistors, Fairchild SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 160В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Рассеиваемая Мощность | 700мВт |
| Полярность Транзистора | Двойной NPN |
| DC Ток Коллектора | 600мА |
| DC Усиление Тока hFE | 80hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,15 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 300 MHz |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1 В |
| Длина | 3мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | -180 В |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 160 В |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 700 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.68мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 600 mA |
| Тип транзистора | NPN-NO/NC |
| Высота | 1.12мм |
| Число контактов | 6 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Размеры | 3 x 1.68 x 1.12мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Вес, г | 0.5 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...