MBT2222ADW1T1G, Массив биполярных транзисторов, N Канал, 40 В, 150 мВт, 600 мА, 35 hFE, SC-70
22 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | sc-70 |
| Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| DC Ток Коллектора | 600мА |
| DC Усиление Тока hFE | 35hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 2 В |
| Длина | 2.2мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 75 V |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 В |
| Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
| Максимальное рассеяние мощности | 150 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.35мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 600 mA |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1мм |
| Число контактов | 6 |
| Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Вес, г | 1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...