MBT3946DW1T1G, Массив биполярных транзисторов, универсальный, NPN, PNP, 40 В, 150 мВт, 200 мА, 250 hFE, SOT-363

17 руб.

Производитель: ON Semiconductor

Полное описание

The MBT3946DW1T1G is a NPN-PNP complementary Bipolar Transistor Array housed in a surface-mount package designed for general purpose amplifier applications. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface-mount applications where board space is at a premium.

• 100 to 300 hFE
• <,=0.4V Low VCE(sat)
• Simplifies circuit design
• Reduces board space
• Reduces component count
• Halogen-free
• -55 to 150°C Junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер	40В
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-363
Рассеиваемая Мощность	150мВт
Полярность Транзистора	NPN, PNP
DC Ток Коллектора	200ма
DC Усиление Тока hFE	250hFE
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0,3 В (NPN), -0,4 В (PNP)
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальная рабочая частота	100 МГц
Количество элементов на ИС	2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер	0,95 В (NPN), -0,95 В (PNP)
Длина	2.2мм
Transistor Configuration	Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база	-40 В, 60 В
Производитель	ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	40 V
Тип корпуса	SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности	150 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура	-55 C
Ширина	1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора	200 mA
Тип транзистора	NPN, PNP
Высота	1мм
Число контактов	6
Размеры	2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальное напряжение эмиттер-база	-5 В (PNP), 6 В (NPN)
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току	30
Вес, г	100

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...