MMPQ3906, Массив биполярных транзисторов, Четверной PNP, -40 В, 1 Вт, -200 мА, 30 hFE, SOIC

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
MMPQ3906, Массив биполярных транзисторов, Четверной PNP, -40 В, 1 Вт, -200 мА, 30 hFE, SOIC

MMPQ3906, Массив биполярных транзисторов, Четверной PNP, -40 В, 1 Вт, -200 мА, 30 hFE, SOIC

картинка MMPQ3906, Массив биполярных транзисторов, Четверной PNP, -40 В, 1 Вт, -200 мА, 30 hFE, SOIC
180 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The MMPQ3906 is a PNP multi-chip Bipolar Transistor Array designed for general-purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10µA.

• -55 to 150°C Operating junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов16вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер-40В
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Рассеиваемая Мощность1Вт
Полярность ТранзистораЧетверной PNP
DC Ток Коллектора-200мА
DC Усиление Тока hFE30hFE
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.4 V
Максимальная рабочая температура+150 C
Максимальная рабочая частота200 MHz
Количество элементов на ИС4
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер-0,95 В
Длина10мм
Transistor ConfigurationИзолированный
Максимальное напряжение коллектор-база-40 V
ПроизводительON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)-40 В
Тип корпусаSOIC
Максимальное рассеяние мощности1 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-55 C
Ширина4мм
Максимальный пост. ток коллектора200 mA
Тип транзистораPNP
Высота1.5мм
Число контактов16
Максимальное напряжение эмиттер-база-5 V
Размеры10 x 4 x 1.5мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току75
Вес, г4.536
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...