NCV1413BDR2G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC
46 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
NPN Darlington Transistors, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50в |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Полярность Транзистора | Двойной NPN |
DC Ток Коллектора | 500мА |
DC Усиление Тока hFE | 1000hFE |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1,6 В |
Максимальная рабочая температура | +125 C |
Количество элементов на ИС | 7 |
Длина | 10мм |
Transistor Configuration | Общий эмиттер |
Производитель | ON Semiconductor |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 V |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 500 мА |
Тип корпуса | SOIC |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -40 C |
Ширина | 4мм |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 1.5мм |
Число контактов | 16 |
Размеры | 10 x 4 x 1.5мм |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
Вес, г | 0.638 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...