NCV1413BDR2G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
NCV1413BDR2G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC

NCV1413BDR2G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC

картинка NCV1413BDR2G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC
46 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов16вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер50в
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Полярность ТранзистораДвойной NPN
DC Ток Коллектора500мА
DC Усиление Тока hFE1000hFE
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер1,6 В
Максимальная рабочая температура+125 C
Количество элементов на ИС7
Длина10мм
Transistor ConfigurationОбщий эмиттер
ПроизводительON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)50 V
Максимальный непрерывный ток коллектора500 мА
Тип корпусаSOIC
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-40 C
Ширина4мм
Тип транзистораNPN
Высота1.5мм
Число контактов16
Размеры10 x 4 x 1.5мм
Максимальное напряжение эмиттер-база5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току1000
Вес, г0.638
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...