NCV1413BDR2G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC
46 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
NPN Darlington Transistors, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50в |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Полярность Транзистора | Двойной NPN |
| DC Ток Коллектора | 500мА |
| DC Усиление Тока hFE | 1000hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1,6 В |
| Максимальная рабочая температура | +125 C |
| Количество элементов на ИС | 7 |
| Длина | 10мм |
| Transistor Configuration | Общий эмиттер |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 V |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 500 мА |
| Тип корпуса | SOIC |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -40 C |
| Ширина | 4мм |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1.5мм |
| Число контактов | 16 |
| Размеры | 10 x 4 x 1.5мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Вес, г | 0.638 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...