NJD35N04T4G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 350 В, 45 Вт, 4 А, 300 hFE, TO-252
87 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
NPN Darlington Transistors, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 350В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
Рассеиваемая Мощность | 45Вт |
Полярность Транзистора | Двойной NPN |
DC Ток Коллектора | 4А |
DC Усиление Тока hFE | 300hFE |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1,5 В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 2 В |
Длина | 6.73мм |
Максимальное напряжение коллектор-база | 700 В |
Transistor Configuration | Одинарный |
Максимальный запирающий ток коллектора | 250mA |
Производитель | ON Semiconductor |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 350 В |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 4 А |
Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
Максимальное рассеяние мощности | 45 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -65 C |
Ширина | 7.49мм |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 2.38мм |
Число контактов | 3 |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
Размеры | 6.73 x 7.49 x 2.38мм |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 2000 |
Вес, г | 0.426 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...