NSM4002MR6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 45 В, 500 мкВт, 500 мА, 40 hFE, SC-74

39 руб.

Производитель: ON Semiconductor

Полное описание

The NSM4002MR6T1G is a dual NPN Bipolar Transistor Array for driving LEDs. The device contains a single two NPN transistors. The base of the Q2 NPN transistor is internally connected to the collector of the Q1 NPN transistor. It is designed to replace a discrete solution that is common for providing a constant current by integrating these two components into a single device. It is ideal for surface-mount applications in space constrained applications.

• Simplifies circuit design
• Reduces board space
• Reduces component count
• Halogen-free
• -55 to 150°C Junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер	45В
Стиль Корпуса Транзистора	SC-74
Рассеиваемая Мощность	500мкВт
Полярность Транзистора	Двойной NPN
DC Ток Коллектора	500мА
DC Усиление Тока hFE	40hFE
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальная рабочая частота	300 МГц (мин.)
Количество элементов на ИС	2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер	-0,95 В
Длина	3.1мм
Максимальное напряжение коллектор-база	40 В, 45 В
Transistor Configuration	Комплекс
Производитель	ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	40 В, 45 В
Тип корпуса	SC-74
Максимальное рассеяние мощности	260 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура	-55 C
Ширина	1.7мм
Максимальный пост. ток коллектора	500 мА
Тип транзистора	NPN
Высота	1мм
Число контактов	6
Размеры	3.1 x 1.7 x 1мм
Максимальное напряжение эмиттер-база	5 V, 6 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току	100
Вес, г	1.588

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...