NST3906DXV6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -40 В, 357 Вт, 200 мА, 30 hFE, SOT-563
43 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-563 |
| Рассеиваемая Мощность | 357Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной PNP |
| DC Ток Коллектора | 200ма |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,25 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 1 кГц |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,85 В |
| Длина | 1.7мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | -40 V |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | -40 В |
| Тип корпуса | SOT-563 |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.3мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 200 mA |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 0.6мм |
| Число контактов | 6 |
| Размеры | 1.7 x 1.3 x 0.6мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Вес, г | 0.3 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...