NST65010MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -65 В, 380 мВт, -100 мА, 0.9 hFE, SOT-363

43 руб.

Производитель: ON Semiconductor

Полное описание

Dual Matched Bipolar Transistors, ON Semiconductor
Pairs of NPN or PNP bipolar transistors in a single package matched for Base-Emitter voltage (V BE ) and Current Gain (h FE ).

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер	-65В
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-363
Рассеиваемая Мощность	380мВт
Полярность Транзистора	Двойной PNP
DC Ток Коллектора	-100мА
DC Усиление Тока hFE	0.9hFE
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер	-650 mV
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальная рабочая частота	100 МГц
Количество элементов на ИС	2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер	-900 mV
Длина	2.2мм
Максимальное напряжение коллектор-база	80 В
Transistor Configuration	Изолированный
Производитель	ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	65 V
Тип корпуса	SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности	380 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура	-55 C
Ширина	1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора	100 mA
Тип транзистора	PNP
Высота	1мм
Число контактов	6
Размеры	2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальное напряжение эмиттер-база	-5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току	220
Вес, г	2

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...