BCM857BS,115, Массив биполярных транзисторов, универсальный, PNP, -45 В, 200 мВт, -100 мА, 290 hFE, SOT-363
31 руб.
- Производитель
- Nexperia
Полное описание
The BCM857BS is a dual PNP matched double Bipolar Transistor Array in a small surface-mount plastic package. The transistor is fully isolated internally and suitable for current mirror and differential amplifier.
• Current gain matching
• Base-emitter voltage matching
• Drop-in replacement for standard double transistors
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | -45В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
Полярность Транзистора | pnp |
DC Ток Коллектора | -100мА |
DC Усиление Тока hFE | 290hFE |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,4 В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальная рабочая частота | 175 МГц |
Количество элементов на ИС | 2 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,92 В |
Длина | 2.2мм |
Максимальное напряжение коллектор-база | 50 V |
Transistor Configuration | Изолированный |
Производитель | Nexperia |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 45 В |
Тип корпуса | UMT |
Максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -65 C |
Ширина | 1.35мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
Тип транзистора | PNP |
Высота | 1мм |
Число контактов | 6 |
Размеры | 1 x 2.2 x 1.35мм |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
Вес, г | 0.075 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...