NTMD4820NR2G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 8 А, 30 В, 0.015 Ом, 10 В, 3 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
NTMD4820NR2G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 8 А, 30 В, 0.015 Ом, 10 В, 3 В

NTMD4820NR2G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 8 А, 30 В, 0.015 Ом, 10 В, 3 В

картинка NTMD4820NR2G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 8 А, 30 В, 0.015 Ом, 10 В, 3 В
78 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов8вывод(-ов)
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Рассеиваемая Мощность2Вт
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds30В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.015Ом
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Пороговое Напряжение Vgs
Maximum Operating Temperature+150 C
Number of Elements per Chip1
Length5mm
Transistor ConfigurationSingle
BrandON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current8 A
Package TypeSOIC
Maximum Power Dissipation2 W
Mounting TypeSurface Mount
Minimum Operating Temperature-55 C
Width4mm
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Height1.5mm
Maximum Drain Source Resistance27 m?
Maximum Drain Source Voltage30 V
Pin Count8
Typical Gate Charge @ Vgs7.7 nC @ 4.5 V
Transistor MaterialSi
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Вес, г0.1
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...