NTMD4820NR2G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 8 А, 30 В, 0.015 Ом, 10 В, 3 В
78 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Dual N-Channel MOSFET, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 8А |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.015Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Length | 5mm |
Transistor Configuration | Single |
Brand | ON Semiconductor |
Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
Package Type | SOIC |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Width | 4mm |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
Height | 1.5mm |
Maximum Drain Source Resistance | 27 m? |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Pin Count | 8 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
Transistor Material | Si |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Вес, г | 0.1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...