NTMD4820NR2G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 8 А, 30 В, 0.015 Ом, 10 В, 3 В
78 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Dual N-Channel MOSFET, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.015Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 5mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Package Type | SOIC |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Width | 4mm |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Height | 1.5mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 27 m? |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Pin Count | 8 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 0.1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...