NTJD5121NT2G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 295 мА, 60 В, 1 Ом, 10 В, 1.7 В
35 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
Рассеиваемая Мощность | 250мВт |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 295мА |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальный непрерывный ток стока | 290 mA |
Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
Максимальное рассеяние мощности | 250 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 1.35мм |
Высота | 1мм |
Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 2 |
Длина | 2.2мм |
Transistor Configuration | Изолированный |
Типичное время задержки включения | 22 ns |
Производитель | ON Semiconductor |
Типичное время задержки выключения | 34 нс |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 2.5 ? |
Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
Число контактов | 6 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 0,9 нКл при 4,5 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 26 пФ при 20 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.016 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...