NTJD4158CT1G, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 250 мА, 30 В, 1 Ом, 4.5 В, 1.2 В

38 руб.

Производитель: ON Semiconductor

Полное описание

The NTJD4158CT1G is a N/P-channel complementary Small Signal MOSFET designed for cell phones, MP3s, digital cameras and PDAs. It is suitable for DC-to-DC conversion, load management and load switch applications.

• Leading 20V Trench for low RDS (ON) performance
• ESD protected gate
• Small footprint

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-363
Рассеиваемая Мощность	270мВт
Полярность Транзистора	N и P Дополнение
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	250мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Пороговое Напряжение Vgs	1.2В
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальный непрерывный ток стока	250 мА, 880 мА
Тип корпуса	SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности	270 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	1.35мм
Высота	1мм
Размеры	2.2 x 1.35 x 1мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	2
Длина	2.2мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	5,8 нс, 15 нс
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	13,5 нс, 56 нс
Минимальная рабочая температура	-55 C
Maximum Gate Threshold Voltage	1.5V
Максимальное сопротивление сток-исток	2,5 ?, 500 м?
Максимальное напряжение сток-исток	20 V, 30 V
Число контактов	6
Категория	Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs	0.9 nC @ 5 V, 2.2 nC @ 4.5 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	155 пФ при -20 В, 20 пФ при 5 В
Тип канала	N, P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, -12 В, +12 В, +20 В
Вес, г	0.016

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...