NTJD5121NT1G, DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88
7 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Small Signal MOSFET 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC?88 with ESD Protection Корпус SOT-323-6, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 295 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 1.6 Ом
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-88 |
| Рассеиваемая Мощность | 250мВт |
| Полярность Транзистора | Dual N Channel |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 295мА |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 300 mA |
| Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
| Максимальное рассеяние мощности | 266 мВт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ширина | 1.35мм |
| Высота | 1мм |
| Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 2.2мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 22 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 34 нс |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 2.5 ? |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Число контактов | 6 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 0,9 нКл при 4,5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 26 пФ при 20 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.213 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...