NTJD4001NT1G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 250 мА, 30 В, 1 Ом, 4 В, 1.2 В
39 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
NTJD4001NT1G является двойным, N-канальным МОП-транзистором слабых сигналов, который предназначен для устройств с батарейным питанием (Li-Ion) вроде мобильных телефонов и КПК. Подходит для переключения нагрузок низкой стороны, понижающих преобразователей и устройств сдвига уровня.
• Низкий заряд затвора для быстрой коммутации
• Затвор с защитой от ЭСР
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Рассеиваемая Мощность | 272мВт |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 250мА |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Length | 2.2mm |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
| Package Type | SOT-363 (SC-88) |
| Maximum Power Dissipation | 2.72 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Width | 1.35mm |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Height | 1mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 ? |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Pin Count | 6 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.9 nC @ 5 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 2 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...