NTHD4102PT1G, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -2.9 А, -20 В, 0.064 Ом, -4.5 В, -1.5 В
43 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | ChipFET |
| Рассеиваемая Мощность | 1.1Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной P Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | -20В |
| Непрерывный Ток Стока | -2.9А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.064Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -4.5В |
| Пороговое Напряжение Vgs | -1.5В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 4.1 A |
| Тип корпуса | ChipFET |
| Максимальное рассеяние мощности | 2.1 W |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.7мм |
| Высота | 1.1мм |
| Размеры | 3.1 x 1.7 x 1.1мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 3.1мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 5,5 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 32 нс |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 170 m? |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 7,6 нКл при 4,5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 750 пФ при -16 В |
| Тип канала | P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -8 В, +8 В |
| Вес, г | 0.056 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...