NTHD3100CT1G, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, -3.9 А, -20 В, 0.064 Ом, -4.5 В, -1.5 В
55 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The NTHD3100CT1G is a N/P-channel Complementary MOSFET ideal for portable battery powered products. The device is designed for DC-to DC conversion circuits, load switch applications requiring level shift and drive small brushless DC motor applications.
• Small size
• 40% Smaller then TSOP-6 package
• Trench P-channel for low ON-resistance
• Low gate charge N-channel for test switching
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | ChipFET |
| Рассеиваемая Мощность | 1.1Вт |
| Полярность Транзистора | N и P Дополнение |
| Напряжение Истока-стока Vds | -20В |
| Непрерывный Ток Стока | -3.9А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.064Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -4.5В |
| Пороговое Напряжение Vgs | -1.5В |
| Вес, г | 0.1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...