NDC7003P, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -340 мА, -60 В, 1.2 Ом, -10 В, -1.9 В

37 руб.

Производитель: ON Semiconductor

Полное описание

The NDC7003P is a PowerTrench® dual P-channel MOSFET produced using Trench technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.

• Low gate charge
• Fast switching speed
• High performance Trench technology for low RDS (ON)
• Small footprint
• Low profile

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	sot-23
Рассеиваемая Мощность	960мВт
Полярность Транзистора	Двойной P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-60В
Непрерывный Ток Стока	-340мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1.2Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	-10В
Пороговое Напряжение Vgs	-1.9В
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальный непрерывный ток стока	340 мА
Тип корпуса	SOT-23
Максимальное рассеяние мощности	960 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	1.7мм
Высота	1мм
Размеры	3 x 1.7 x 1мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	2
Длина	3мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	3,2 нс
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	8 нс
Серия	PowerTrench
Минимальная рабочая температура	-55 C
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	10 ?
Максимальное напряжение сток-исток	60 В
Число контактов	6
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	1.6 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	66 пФ при -25 В
Тип канала	P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.033

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...