NDC7001C, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 340 мА, 50 В, 1 Ом, 10 В, 2.1 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
NDC7001C, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 340 мА, 50 В, 1 Ом, 10 В, 2.1 В

NDC7001C, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 340 мА, 50 В, 1 Ом, 10 В, 2.1 В

картинка NDC7001C, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 340 мА, 50 В, 1 Ом, 10 В, 2.1 В
37 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The NDC7001C is a dual N/P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage, low current, switching and power supply applications.

• High saturation current
• High density cell design for low RDS (ON)
• Design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов6вывод(-ов)
Стиль Корпуса ТранзистораSuperSOT
Рассеиваемая Мощность700мВт
Полярность ТранзистораN и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds50в
Непрерывный Ток Стока340мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)1Ом
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Пороговое Напряжение Vgs2.1В
Вес, г0.04
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...