SI4542DY, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6 А, 30 В, 0.019 Ом, 10 В, 1.5 В
- Производитель
- ON Semiconductor
The SI4542DY is a 30V Complementary PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
Полярность Транзистора | N и P Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 6А |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.019Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
Максимальная рабочая температура | +175 C |
Максимальный непрерывный ток стока | 6 A |
Тип корпуса | SOIC |
Максимальное рассеяние мощности | 1.6 W |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 3.9мм |
Высота | 1.575мм |
Размеры | 4.9 x 3.9 x 1.575мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 4.9мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 12 ns, 24 ns |
Производитель | ON Semiconductor |
Типичное время задержки выключения | 29 нс, 75 нс |
Серия | PowerTrench |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 35 мОм, 45 мОм |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
Число контактов | 8 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 15 нКл при 5 В, 9 нКл при 5 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1540 пФ при -15 В, 830 пФ при 15 В |
Тип канала | N, P |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 10 |
- Полное описание
- Комментарии