SI4542DY, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6 А, 30 В, 0.019 Ом, 10 В, 1.5 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
SI4542DY, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6 А, 30 В, 0.019 Ом, 10 В, 1.5 В

SI4542DY, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6 А, 30 В, 0.019 Ом, 10 В, 1.5 В

картинка SI4542DY, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6 А, 30 В, 0.019 Ом, 10 В, 1.5 В
130 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The SI4542DY is a 30V Complementary PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура175 C
Количество Выводов8вывод(-ов)
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Рассеиваемая Мощность2Вт
Полярность ТранзистораN и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds30В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.019Ом
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Пороговое Напряжение Vgs1.5В
Максимальная рабочая температура+175 C
Максимальный непрерывный ток стока6 A
Тип корпусаSOIC
Максимальное рассеяние мощности1.6 W
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина3.9мм
Высота1.575мм
Размеры4.9 x 3.9 x 1.575мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС1
Длина4.9мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения12 ns, 24 ns
ПроизводительON Semiconductor
Типичное время задержки выключения29 нс, 75 нс
СерияPowerTrench
Минимальная рабочая температура-55 C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Максимальное сопротивление сток-исток35 мОм, 45 мОм
Максимальное напряжение сток-исток30 V
Число контактов8
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs15 нКл при 5 В, 9 нКл при 5 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1540 пФ при -15 В, 830 пФ при 15 В
Тип каналаN, P
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Вес, г10
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...