SI4532DY, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 3.9 А, 30 В, 0.053 Ом, 10 В, 3 В

88 руб.

Производитель: ON Semiconductor

Полное описание

The SI4532DY is a dual N/P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where switching, low in-line power loss fast and resistance to transients are needed.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability in a widely used surface-mount package

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2Вт
Полярность Транзистора	N и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	3.9А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.053Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Maximum Operating Temperature	+150 C
Number of Elements per Chip	2
Length	5mm
Transistor Configuration	Isolated
Brand	ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current	3.5 A, 3.9 A
Package Type	SOIC
Maximum Power Dissipation	2 W
Mounting Type	Surface Mount
Minimum Operating Temperature	-55 C
Width	4mm
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Height	1.5mm
Maximum Drain Source Resistance	95 m?, 190 m?
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Pin Count	8
Typical Gate Charge @ Vgs	15 nC @ 10 V
Transistor Material	Si
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N, P
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Вес, г	0.465

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...