NDS9952A, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 3.7 А, 30 В, 0.06 Ом, 10 В, 1.7 В
100 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The NDS9952A is a dual N/P-channel enhancement-mode MOSFET produced using high cell density and DMOS technology. This high density process is especially tailored to provide superior switching performance and minimize ON-state resistance. The device is particularly suited for low voltage applications such as disk drive motor control, battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Полярность Транзистора | N и P Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 3.7А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.06Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Вес, г | 2 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...