SI1922EDH-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 1.3 А, 20 В, 0.165 Ом, 4.5 В, 400 мВ
36 руб.
- Производитель
- Vishay
Полное описание
The SI1922EDH-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.
• Halogen-free
• ESD protected device
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 1.3А |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.165Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Пороговое Напряжение Vgs | 400мВ |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Количество элементов на ИС | 2 |
Длина | 2.2мм |
Transistor Configuration | Изолированный |
Типичное время задержки включения | 43 нс |
Производитель | Vishay |
Типичное время задержки выключения | 645 нс |
Максимальный непрерывный ток стока | 1,3 А |
Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
Максимальное рассеяние мощности | 1.25 W |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Ширина | 1.35мм |
Высота | 1мм |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 263 м? |
Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
Число контактов | 6 |
Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 1,6 нКл при 8 В |
Материал транзистора | Кремний |
Номер канала | Поднятие |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -8 В, +8 В |
Вес, г | 0.073 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...