SI1869DH-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 1.2 А, 20 В, 0.132 Ом, 4.5 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
SI1869DH-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 1.2 А, 20 В, 0.132 Ом, 4.5 В

SI1869DH-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 1.2 А, 20 В, 0.132 Ом, 4.5 В

картинка SI1869DH-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 1.2 А, 20 В, 0.132 Ом, 4.5 В
53 руб.
Производитель
Vishay
Заказать
Полное описание

SI1869DH-T1-E3 является N/P-канальным МОП-транзистором, который идеально подходит для переключения нагрузок высокой стороны в портативных устройствах. Интегрированное N-канальное устройство сдвига уровня экономит пространство за счет сокращения внешних компонентов. Внешняя установка скорости нарастания обеспечивает возможность адаптации к различным типам нагрузки. P-канальный TrenchFET с низким сопротивлением в активном состоянии предназначен для использования в качестве переключателя нагрузки. N-канальный вариант с внешним резистором может использоваться в качестве сдвига уровня для управления P-канальным переключателем нагрузки. N-канальный МОП-транзистор обладает встроенной защитой от ЭСР и может управляться логическими сигналами до 1.5В.

• Силовой МОП-транзистор TrenchFET®
• Низкий профиль
• Маленькие размеры
• Регулируемая скорость нарастания

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов6вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистораsc-70
Рассеиваемая Мощность1Вт
Полярность ТранзистораN и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds20В
Непрерывный Ток Стока1.2А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.132Ом
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Вес, г0.041
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...