SI1029X-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 305 мА, 60 В, 1.4 Ом, 10 В, 2.5 В

46 руб.

Производитель: Vishay

Полное описание

The SI1029X-T1-GE3 is a N/P-channel complementary MOSFET designed for use with replace digital transistor, level-shifter, battery operated systems and power supply converter circuits applications. It offers ease in driving switches, low offset (error) voltage, low-voltage operation and high-speed circuits.

• Halogen-free
• TrenchFET® power MOSFET
• Very small footprint
• High-side switching
• Low ON-resistance
• ±2V Low threshold
• 15ns Fast switching speed

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	SC-89
Рассеиваемая Мощность	250мВт
Полярность Транзистора	N и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	305мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1.4Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальный непрерывный ток стока	190 мА, 300 мА
Тип корпуса	SOT-523 (SC-89)
Максимальное рассеяние мощности	250 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	1.7мм
Высота	0.6мм
Размеры	1.7 x 1.7 x 0.6мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	2
Длина	1.7мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	15 нс, 20 нс
Производитель	Vishay
Типичное время задержки выключения	20 нс, 35 нс
Минимальная рабочая температура	-55 C
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	3 ?, 8 ?
Максимальное напряжение сток-исток	60 В
Число контактов	6
Типичный заряд затвора при Vgs	1700 нКл при 15 В, 750 нКл при 4,5 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	23 пФ при -25 В, 30 пФ при 25 В
Тип канала	N, P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.031

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...