QS6K1TR, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 1 А, 30 В, 0.364 Ом, 4.5 В, 1.5 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
QS6K1TR, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 1 А, 30 В, 0.364 Ом, 4.5 В, 1.5 В

QS6K1TR, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 1 А, 30 В, 0.364 Ом, 4.5 В, 1.5 В

картинка QS6K1TR, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 1 А, 30 В, 0.364 Ом, 4.5 В, 1.5 В
51 руб.
Производитель
Rohm
Заказать
Полное описание

The QS6K1TR is a dual N-channel Complex MOSFET designed as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. It is designed for coin processing machines, portable data terminal, handy and bench type digital multi-meter, PLC, DVR/DVS, POS, electric bike, smart meter, surveillance camera, X-ray inspection machine for security, surveillance camera for network, intercom/baby monitor, fingerprint authentication device, machine vision camera for industrial and display for EMS applications.

• Low ON-resistance
• Small and surface-mount package
• Built-in G-S protection diode
• Fast switching performance

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов6вывод(-ов)
Стиль Корпуса ТранзистораTSMT
Рассеиваемая Мощность900мВт
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds30В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.364Ом
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Пороговое Напряжение Vgs1.5В
Вес, г0.014
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...