STGF6NC60HD, БТИЗ транзистор, 6 А, 2.5 В, 20 Вт, 600 В, TO-220FP, 3 вывод(-ов)
140 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
Полное описание
The STGF6NC60HD is a very fast N-channel PowerMESH™ IGBT for use with SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix H identifies a family optimized for high frequency application in order to achieve very high switching performances (reduced tfall) maintaining a low voltage drop.
• Low on voltage drop (Vcesat)
• Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
• High frequency operation
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600в |
| Стиль Корпуса Транзистора | to-220fp |
| Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
| DC Ток Коллектора | 6А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.5В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Длина | 10.4мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 6 A |
| Тип корпуса | TO-220FP |
| Максимальное рассеяние мощности | 20 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 4.6мм |
| Высота | 16.4мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 10.4 x 4.6 x 16.4мм |
| Скорость переключения | 1МГц |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 2 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...